研究了衬底温度对MOCVD技术制备的ZnO薄膜的微观结构和光电特性影响．XRD和SEM的研究结果表明，衬底温度对ZnO薄膜的微观结构有显著影响，明显的形貌转变温度大约发生在175 6C，低于175。C，薄膜呈镜面结构，晶粒为球状，高于177℃的较高温度范围，薄膜从“类金字塔”状的绒面结构演化为“岩石”状显微组织；随着温度增加，薄膜的晶粒尺寸明显增大．绒面结构的未掺杂ZnO薄膜具有17．96 em2，V·8的高迁移率和3．28×10。2 Q·cm的低电阻率，对ZnO薄膜的进一步掺杂和结构优化有望应用于si薄膜太阳电池的前电极．