电子技术与元器件教案
  • 资料等级:
  • 授权方式:资料共享
  • v发布时间:2015-01-11 09:48:04
  • 资料类型:RAR
  • 资料大小:502 KB
  • 资料分类:电气工程
  • 运行环境:WinXp,Win2003,WinVista,Win ;
  • 解压密码:civilcn.com
2.二极管的伏安特性
二极管的伏安特性是指二极管两端所加的电压与流过二极管的电流之间的关系,这种关系可以用伏安特性曲线来描述。
1)正向特性
当二极管两端所加的正向电压较小时,正向电流几乎为零,此工作区域称为死区。当正向电压增大到VF时,二极管开始导通,因此,常将VF称为门坎电压或死区电压(硅管的VF约为0.5V,锗管为0.2V)。当正向电压大于VF时,正向电流迅速增加(图中AB段),此时,二极管充分导通,呈现的正向电阻很小。
2)反向特性
当二极管两端加反向电压时,反向电流几乎为零,且在较大的范围内不随反向电压的变化而变化。但当反向电压增加到一定程度(VR)时,反向电流剧增,二极管反向击穿。故常将VR称为二极管的反向击穿电压。
3.稳压二极管
稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性来实现稳压的。
稳压二极管总是工作在反向击穿状态,当其击穿后,只要限制其工作电流,使稳压二极管始终工作在允许功耗内,就不会损坏管子,所以,稳压二极管的反向击穿是可逆的,而普通二极管的反向击穿是不可逆的。
稳压二极管的动态电阻RZ实际上反映了稳压二极管的稳压特性,RZ越小越好。
利用稳压二极管给负载提供稳定电压时,一般要设限流电阻。